提高製程水準 SK海力士傳升級無錫廠

提高製程水準 SK海力士傳升級無錫廠

首爾經濟報導,無錫廠是SK海力士的核心生產基地,產量約佔其DRAM總產量的40%。無錫廠目前正在生產第二代和第三代DRAM,該產品屬於10奈米後期級別的老產品(傳統)系列。

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值得注意的是,美國爲阻止中國半導體產業崛起,自2019年起限制製造先進半導體必需的極紫外光(EUV)曝光機出口中國。受此影響,SK海力士想把無錫廠過渡到10奈米級第四代DRAM及更高水準,將是一項挑戰。

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報導指出,SK海力士計劃在無錫生產線上完成第四代DRAM的部份製程,然後把晶片運到SK海力士的總部所在地利川園區,應用EUV後,再運回無錫完成整個製程。SK海力士在2013年無錫廠大火期間克服DRAM生產中斷的困難,因此對於上述方法擁有豐富的經驗。

針對無錫廠升級傳聞,SK海力士表示,無法確認工廠的具體營運計劃。

韓聯社報導,中國半導體產業水準迅速提升,已引發市場高度關注。瑞銀集團近期分析,雖然美國正使用各種方式阻止中國半導體崛起,但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業正在加強對主要半導體制造設備的採購以增加供應。2023年包括荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)在內的國際半導體設備生產商,來自中國的訂單激增。

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